Несколько лет назад наша страна перешла с аналогового на цифровой формат телевещания. Начало перехода состоялось несколькими годами ранее, когда премьер-министр РФ подписал первое постановление правительства, регулирующее внедрение цифрового ТВ в России.

В нашей стране повсеместное внедрение цифрового телевещания немного отставало, по сравнению с некоторым странами. Основной причиной являлась огромная территория России. К тому же, по данным исследований, проведенных в 2010 году, только 44% жителей страны могли принимать не более четырех цифровых каналов на своих телевизорах. Полный переход на цифровое вещание занял несколько лет.

Аналоговое телевидение работает по принципу: один канал занимает одну частоту. При цифровом вещании по одной частоте можно одновременно передавать целый пакет каналов – мультиплекс. Это позволяет значительно увеличить количество транслируемых каналов. Цифровой сигнал не подвержен помехам в эфире, позволяет подключать различные дополнительные интерактивные сервисы для зрителей.

На сегодняшний день в мире существует несколько стандартов цифрового телевещания. В большинстве стран Европы, Азии и Африки оно развивается по стандарту DVB. В России для эфирного вещания выбран стандарт DVB-T2 второго поколения.

Для осуществления стабильного сигнала цифрового ТВ необходима и модернизации оборудования во всей технологической цепочки передачи.

Не так давно российские инженеры из НИИ электронной техники приступили к созданию двух новых транзисторов по технологии LDMOS. Основной областью их применения станут усилители телевизионных сигналов, но передовые характеристики создаваемых новинок позволят улучшить с их помощью параметры другой радиоаппаратуры.

LDMOS-технология позволяет создавать приборы с выходной мощностью до нескольких киловатт на частотах до 1 ГГц и выше.

Существует два ключевых требования к транзисторам, применяемым для работы в стандарте DVB-T/DVB-T2:

• Обеспечение высокой линейности при передаче сигнала, что обусловлено сложным характером его модуляции;
• Способность сохранять надежность при работе на большой мощности при напряжении питания 50 В, что может приводить к значительному нагреву кристалла. Следовательно, что транзисторы должны обладать высоким КПД, а также низким тепловым сопротивлением между кристаллом и корпусом.

Изделия, создаваемые в АО «НИИЭТ», обладают высокой по современным меркам удельной выходной мощностью и малыми значениями удельных емкостей.

Работа по их созданию выполнялась при финансировании в рамках программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252. В настоящее время транзистор, получивший наименование КП9171А, проходит тестирование.

Основные энергетические параметры новинки:

• коэффициент усиления по мощности – не менее 20 дБ,
• коэффициент полезного действия стока – не менее 45%,
• коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка – не более –30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц.

Свои заказы на транзистор уже оформили несколько крупнейших российских предприятий. Основной областью применения данных транзисторов станут усилители телевизионных сигналов, но благодаря их передовым характеристикам, в частности ̶ большей выходной мощности в сравнении с транзисторами предыдущего поколения, повышенному КПД и высокой линейности, транзисторы позволят улучшить с их помощью параметры аппаратуры и в других областях, таких как, например, системы радиолокации и навигации.