Учёные придумали, как сделать электронику более долговечной. Всё благодаря обновлённому процессу синтеза, с помощью которого исследователи создали покрытие, устойчивое к появлению ржавчины. В будущем метод можно будет использовать для создания долговечной электроники.

Авторами разработки стала исследовательская группа Университета Пенсильвании. Метод полагается на спецификации аморфного нитрида бора (a-BN). Материал используется в роли покрытия для электроники. Всё благодаря его термическим и электроизоляционным свойствам.

Материал состоит из дисульфида молибдена — двумерного полупроводника. Компонент появляется на поверхности сапфира. Его структура состоит из треугольных форм и аккуратно следует рисунку поверхности материала, где он наносится. Благодаря этому компонент может легко препятствовать преждевременному окислению.

Равномерное покрытие двумерных полупроводников с помощью a-BN позволило увеличить производительность транзисторов на 30–100%. В отличие от существующих методов защиты электроники, a-BN делает покрытие компонентов более равномерным и целостным. При этом потенциал аморфного нитрида бора раскрыт лишь частично, и учёным только предстоит узнать о его свойствах.