Входящий в госкорпорацию «Ростехнологии» холдинг «Росэлектроника» обнародовал планы создания в Томске одного из трех базовых федеральных центров светодиодных технологий, в который будет инвестировано около 4 млрд рублей. Как сообщили «ФедералПресс» сегодня, 14 сентября, в пресс-службе администрации Томской области, совместное предприятие «Росэлектроники» и томского ОАО «НИИ полупроводниковых приборов» станет резидентом Южной площадки томской особой экономической зоны технико-внедренческого типа (ОЭЗ ТВТ).
«В России будет создано три базовых центра светодиодных технологий: в Москве, Санкт-Петербурге и Томске. Совместный проект НИИПП и Томского университета систем управления и радиосвязи по разработке полупроводниковых источников света и светотехнических устройств и по организации их серийного производства в мае 2010 года выиграл субсидию Министерства образования и науки РФ. Финансирование проекта в течение 2010–2013 годов составит 300 млн рублей, – заявили в пресс-службе обладминистрации. – Проект будет осуществляться совместным предприятием «Росэлектроники» и НИИПП, которое будет зарегистрировано в качестве резидента Южной площадки Томской ОЭЗ ТВТ».
По словам генерального директора «Росэлектроники» Андрея Зверева, помимо субсидии Минобрнауки в 300 млн рублей сам холдинг вложит еще 200 млн рублей, а общий объем инвестиций в проект составит 4 млрд рублей «в ближайшие полтора года».
Государственный холдинг «Росэлектроника» был создан в декабре 1997 года указом президента РФ и постановлением правительства РФ, а в 2009 году включен в состав «Ростехнологий». По данным отчетности ОАО «Росэлектроника» за 2009 год, выручка холдинга в прошлом году составила более 4,2 млрд рублей, снизившись более чем на 5 % по сравнению с 2008 годом. «Росэлектроника» выпустила в прошлом году 65,3 % спецматериалов для электронной промышленности в России, 40,6 % электровакуумных приборов, 27,4 % оптоэлектронных приборов, 19,3 % микросхем и 16,8 % полупроводниковых приборов в стране.